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MBT3946DW1T1G中文资料

MBT3946DW1T1G图片

MBT3946DW1T1G外观图

  • 大小:168.57KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大:150mW
  • 频率 - 转换:300MHz,250MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-88
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MBT3946DW1T1GOSTR

MBT3946DW1T1G供应商

更新时间:2023-01-01 21:09:10
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • MBT3946DW1T1G

    MBT3946DW1T1G
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 40

  • ON SEMICONDUTOR

  • SOT363/1325+

  • 一定原装房间现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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