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MBT3946DW1T1G中文资料

MBT3946DW1T1G图片

MBT3946DW1T1G外观图

  • 大小：168.57KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 频率 - 转换：300MHz，250MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-88
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MBT3946DW1T1GOSTR

MBT3946DW1T1G供应商

更新时间:2023-01-01 21:09:10
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市创德丰电子有限公司

  • MBT3946DW1T1G

    MBT3946DW1T1G
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 40

  • ON SEMICONDUTOR

  • SOT363/1325+

  • 一定原装房间现货

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